bedrijfsnieuws over Belangrijke vooruitgang op het gebied van het lichtvermogen van ultraviolette lichtdioden (UV-LED's)

Belangrijke vooruitgang op het gebied van het lichtvermogen van ultraviolette lichtdioden (UV-LED's)

Door de kwaliteit van het materiaal te verbeteren, ontwerpen en epitaxiaal groeien van een nieuwe actieve regio kwantum bron structuur,en monolithisch een fotomultiplierconverter integreren in de traditionele LED-apparaatstructuur, is de elektro-optische conversie-efficiëntie van de halfgeleider diepe ultraviolette LED (DUV LED) met een golflengte van 280 nm verhoogd tot meer dan 20%.

UV-LED's zijn een milieuvriendelijk en energiebesparend alternatief voor kwiklampen.Door het aluminiumgehalte in de kwantumput van aluminium galliumnitride (AlGaN) te veranderen, een breedbandsemiconductormateriaal, kunnen UV-LED's het spectraal bereik van 210 nm tot 360 nm bestrijken.UV-LED's kunnen ook in andere toepassingen worden gebruikt vanwege hun kleine grootte, hoge efficiëntie en continu verstelbare golflengte, waardoor ze meer marktbaar zijn.de marktomvang van UV-LED's zal groeien van 500 miljoen US$ in 2019 tot 1 miljard US$ in 2023, of zelfs hoger.

Uit het onderzoek is gebleken dat we een verscheidenheid aan innovatieve benaderingen kunnen toepassen om de efficiëntie te verbeteren, met name: vermindering van defecten en vervorming in de epitaxiale laag;verbetering van de doping-efficiëntie van het n- en p-type om een geleidende film te vormen voor een verbeterde efficiëntie van de stroominspuitingHet ontwerp van een apparaatstructuur om de lichtextractie-efficiëntie en de conversie-efficiëntie te verbeteren; en het gebruik van een nieuwe op AlGaN gebaseerde kwantumput en barrière in het actieve lichtemitterende gebied.

We hebben de heterostructuren van onze UV-LED's op saffier gekweekt, een goedkoop transparant substraat.Het nadeel van saffier is dat het een rooster en thermische expansie mismatch met nitriden heeft, wat resulteert in slechte kristalkwaliteit en niet bevorderlijk is voor stralingsrecombinatie van dragers in het actieve gebied.We gingen over op gemodelleerde saffiersubstraten met piramidale structuren op het oppervlak en epitaxiaal groeide hoogwaardige AlN films met behulp van laterale overgroeiGebaseerd op de halve breedte van de röntgendiffractie schommelcurve, hebben we afgeleid dat de dislocatie dichtheid van de film minder dan 3 x 108 cm2 was.die aantoonde dat de epilayer-spanning volledig werd vrijgegevenOp basis van deze bevindingen,We weten dat het verminderen van dislocaties niet-stralingsrecombinatie in het actieve gebied van UV-LED's kan onderdrukken en uiteindelijk de stralingsrecombinatie-efficiëntie van deze apparaten kan verbeteren..